长鑫存储从美国Rambus获得大量内存技术专利

长鑫存储从美国Rambus获得大量内存技术专利

根据长鑫存储微信公众号的消息,日前,长鑫存储技术有限公司与美国半导体公司Rambus Inc.(以下简称“蓝铂世”)签署专利许可协议(www.hcyw.com.cn)。依据此协议,长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储(以下简称“DRAM”)技术专利的实施许可。

IT之家了解到,长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示:“与蓝铂世达成的协议再次表明,长鑫存储高度重视知识产权相关的国际规则,持续强化知识产权组合。公司致力于通过自主研发与国际合作,不断增加在半导体核心技术和高价值知识产权方面的积累,并以此为基础实现可持续发展,稳步提升市场竞争力。”根据双方达成的一致,此协议中的其它详细信息不予披露。

去年12月5日,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。 依据专利许可协议,长鑫存储从 Polaris 获得大量 DRAM 技术专利的实施许可。这些专利来自 Polaris 于2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。

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